IT采购网4月20日消息，SK海力士近日宣布，全球率先研发出12层堆叠的HBM3内存，单颗容量可达24GB。这项技术突破将HBM3内存的容量和带宽提升到了一个新的水平，更加适用于高性能计算CPU和GPU等领域。
据IT采购网了解，SK海力士在新品上使用了名为“高级批量回流模制底部填充”(MR-MUF)的技术，通过将多颗芯片放置在下层基板上，并使用模塑料填充芯片之间或芯片与基板之间的空隙，一次性粘合多颗芯片，从而实现了12层堆叠。同时，SK海力士还采用了经典的TSV硅穿孔技术，将单颗芯片的厚度减少了40%，在保持整体厚度不变的情况下，实现了50%的容量增加。
SK海力士已经向客户提供24GBHBM3的样品，但量产和供货时间未公布。然而，这一技术突破对于高性能计算CPU和GPU等领域来说，无疑将带来更高的性能和更大的容量。比如，NVIDIAH100、AMD Instinct MI250X加速卡分别用了六颗16GB HBM3、八颗16GBHBM2e，而如果换成新的单颗24GB，一张卡上就能分别有144GB、192GB之多。