高通近期在芯片领域动作频频，接连推出骁龙X2 Elite系列与骁龙8至尊版两款重磅产品。这两款芯片均采用台积电第三代3nm制程工艺（N3P），标志着高通在智能手机SoC领域对3nm制程的深度布局。值得注意的是，这两款产品或将成为高通基于3nm制程节点的最后一批旗舰芯片，预示着其工艺升级的步伐正在加快。
据行业媒体Wccftech披露，高通已明确将下一代芯片工艺转向更先进的2nm制程节点。第六代骁龙8至尊版将直接跳过台积电初代N2工艺，采用优化后的N2P制程。这一选择背后，是高通对性能与成本的双重考量。由于2nm工艺成本高昂，高通计划在第六代及后续第七代骁龙8至尊版上延续N2P工艺，以摊薄研发与制造成本。
N2P工艺相较于初代N2，在性能与能效上实现了显著突破。在相同频率和晶体管数量下，N2P的功耗可降低5%至10%；若保持相同功率，性能则能提升5%至10%。高通显然希望借此工艺特性，通过提升核心频率进一步挖掘芯片性能潜力，同时维持能效的稳步提升。这种“高频低耗”的策略，或将成为高通未来旗舰芯片的核心竞争力。
三星的2nm工艺进展也为高通提供了新的选择。过去两年，高通曾尝试采用双代工厂策略，但因三星良品率不达标而搁置。如今，三星已完成第二代2nm制程工艺（SF2P）的基本设计，并大幅降低报价，较台积电低三分之一。这一价格优势或促使高通重新评估与三星的合作可能性，为其供应链多元化开辟新路径。
