三星电子正加速布局下一代内存芯片生产，计划在平泽P4晶圆厂综合体新建一条1c纳米级DRAM生产线，专门用于生产HBM4内存所需的核心芯片。这条新生产线预计于明年第一季度正式投产，初期月产能将达到10万至12万片晶圆，占三星2026年DRAM总产能的近五分之一。
目前三星已具备每月约6.5万片1c纳米DRAM的产能，随着新生产线投产，HBM4相关芯片的产能占比将提升至整体DRAM产量的四分之一。在配套组件方面，平泽S5晶圆厂的4纳米生产线已全面投入运营，专门用于生产HBM4基础芯片，形成完整的供应链体系。
为满足消费电子市场对高性能内存的需求，三星同步推进现有产线升级计划。位于华城的Fab 17工厂将把现有DRAM生产线升级至1c纳米工艺，重点服务智能手机、智能家电等领域的通用型内存需求。这项改造工程将与新建生产线形成协同效应，进一步巩固三星在先进内存市场的技术优势。
