台积电（TSMC）近日宣布，已向其参股的特色工艺晶圆代工企业世界先进（VIS）正式授权两种氮化镓（GaN）制程技术，涵盖650V高压与80V低压领域。此次技术合作标志着双方在第三代半导体领域的深度协同，旨在推动氮化镓技术在更广泛的应用场景中落地。
世界先进凭借此次授权，将其现有的硅衬底氮化镓（GaN-on-Si）工艺制程扩展至高压领域，构建起覆盖高低压的完整技术平台。值得注意的是，该公司此前已拥有基于QST衬底的氮化镓制程能力，此次技术升级使其成为全球首家同时掌握两种不同衬底氮化镓工艺的晶圆制造服务商，进一步巩固了其在特色工艺领域的领先地位。
根据规划，世界先进将基于成熟的八英寸晶圆生产线开展技术验证，确保新制程的稳定性与良率达到量产标准。相关开发工作预计于2026年初启动，经过两年的技术优化与产能爬坡，计划于2028年上半年实现规模化量产。这一时间表反映了第三代半导体技术从实验室到产业化所需的严谨流程，也体现了双方对技术成熟度的审慎评估。
氮化镓作为第三代半导体的核心材料，凭借其高效率、高频率等特性，在快充、5G基站、新能源汽车等领域展现出巨大潜力。此次技术授权不仅为世界先进开辟了新的业务增长点，也为台积电通过战略参股深化技术生态布局提供了典型案例。随着全球对节能减排需求的持续增长，氮化镓技术的商业化进程有望进一步加速。
