近日，一场聚焦智能电动汽车发展的高层论坛在北京举行，吸引了众多行业专家与企业代表参与。麦格纳集团中国区技术高级总监张超在论坛上发表了精彩演讲，对全球及中国汽车市场的未来趋势进行了深入剖析。
张超指出，全球汽车销量正呈现出稳定增长的态势，预计到2030年，全球汽车销量将突破1亿辆大关。在这一增长过程中，新能源汽车的表现尤为亮眼，其占比预计将迅速提升至40%以上。而在中国市场，新能源汽车更是成为推动汽车销量增长的主要力量。据预测，到2030年，中国汽车销量有望突破3000万辆，其中新能源汽车的占比将接近80%，展现出巨大的市场潜力。
在演讲中，张超还对传统硅基IGBT的局限性进行了详细阐述。他提到，传统硅基IGBT存在四大明显不足：一是开关损耗较大，导致在高频工况下的效率偏低；二是耐高温能力有限，难以适应高温环境下的工作需求；三是开关频率较低，使得系统体积与重量难以进一步降低；四是难以支撑800V以上平台的长期发展，限制了电动汽车在高压快充等领域的应用。
针对这些问题，张超认为，全面向第三代半导体升级是必然的技术路线。他介绍说，SiC/GaN器件凭借其优异的物理特性，如高击穿电场、高电子迁移率等，能够彻底解决传统硅基IGBT存在的上述痛点，为电动汽车产业带来革新性的变化。
对于未来3-5年的关键趋势，张超也给出了自己的判断。他认为，800V高压平台将加速下沉至主流车型，为电动汽车提供更快的充电速度和更高的功率输出；SiC器件将在全场景中的渗透率持续稳步提升，成为电动汽车核心部件的重要组成部分；同时，GaN在车载电源领域也将实现快速规模化上车，为电动汽车的电源系统带来更高的效率和更小的体积。
