4月30日，三星电子在2026年第一季度财报电话会议上表示，近期通用DRAM的盈利能力已高于高带宽存储器（HBM），但公司将维持两者之间的均衡生产比重。
三星电子
三星电子方面承认：“近期通用DRAM的价格出现上涨，其盈利能力确实比HBM更高。”公司解释称，HBM以年度为单位提前签订供应合同，而通用DRAM则以季度为单位进行价格协商，因此通用DRAM能够更早反映价格上升趋势，导致短期内的收益性出现逆转。
不过，三星电子明确表示，不会因为通用DRAM短期盈利更高而大幅调整生产结构。公司强调，若生产过度向通用DRAM倾斜，反而会加剧HBM的供不应求局面，届时HBM的盈利能力有望重新追赶上来。因此，三星计划在通用DRAM和HBM之间维持均衡的生产比例，兼顾短期业绩与长期战略。
三星电子半导体业务负责人进一步透露，HBM4的差异化性能已经吸引了大量客户需求，公司为HBM4准备的全部产能均已售罄。预计今年下半年，HBM4的供应量将全面扩大，其销售额将在第三季度占到三星整体HBM销售额的一半以上，在今年全年也将占据过半比重。
在技术迭代方面，三星电子已将1c纳米制程的DRAM引入HBM4生产以提升产品性能。同时，下一代高带宽存储器HBM4E（第七代HBM）的首批样品计划于今年第二季度向主要客户供应，相关业务准备工作正在加速推进。
