8 月 4 日消息，台媒《电子时报》今日表示，三大存储半导体制造商（三星电子、SK 海力士、美光）近日提前完成 2027 年的一般 DRAM 与 HBM 分配谈判，产能已然售罄。供应情况略好的 NAND 闪存预计也将在本月内敲定明年产能配额。
报道指出，在 2026 年遭遇严重短缺后，下游业者在寻求供应上更为积极，导致原本主要出现在 HBM 上的提前预定趋势扩展到整个存储芯片领域。客户无论是否选择长期协议 (LTA) 都在积极配合三大原厂的预付定金策略。
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据估算，三大原厂仅能满足下游客户 60~70% 的需求。而由于供应倾向于 AI / HPC 领域，智能手机与 PC 业者能得到的 DRAM 配额将大幅减少。
