在存储技术领域，一场革新正悄然酝酿。3D存储半导体IP企业Neo Semiconductor于FMS 2026上，正式推出了其创新性的双晶体管（2T）SRAM设计——X-SRAM，这一设计有望打破现有片上缓存容量的瓶颈，为人工智能等高性能计算领域带来新的突破。
传统上，商业化主流的SRAM由6个晶体管构成，这种结构在一定程度上限制了片上缓存的扩展能力。然而，随着人工智能等应用的快速发展，对大容量高速SRAM缓存的需求日益迫切，尤其是在推理解码等场景中，大容量SRAM缓存能够显著提升计算效率。Neo Semiconductor的X-SRAM设计，正是针对这一需求而提出的解决方案。
据Neo Semiconductor介绍，X-SRAM设计通过采用双晶体管结构，成功实现了现有方案5倍的片上缓存容量提升。这意味着，在相同的芯片面积下，X-SRAM能够提供更高的存储密度，从而满足人工智能等高性能计算领域对大容量缓存的需求。更令人瞩目的是，Neo Semiconductor还宣称，其技术可将片上SRAM容量提升至GB级别，这将为未来的计算设备带来前所未有的存储能力。
为了满足不同应用场景的需求，Neo Semiconductor展示了四种不同的X-SRAM单元结构。其中，Type B方案与现有的GAA Nanosheet尖端逻辑制程直接兼容，这意味着它可以在现有的制造工艺上轻松实现，降低了技术迁移的难度和成本。而Type A、C、D方案则各有侧重，需要根据具体的工艺需求进行调整和优化，以充分发挥其性能优势。
除了单层结构外，Neo Semiconductor还展望了堆叠式的3D X-SRAM技术。通过堆叠多层SRAM单元，3D X-SRAM有望实现20~40倍于现有设计的SRAM容量，这将为未来的高性能计算设备提供前所未有的存储能力。这一技术的推出，无疑将推动存储技术向更高密度、更高性能的方向发展。