诺基亚近期宣布了一项重大战略布局，旨在强化其在光器件制造领域的长期竞争力。作为该计划的核心环节，公司已与恩智浦达成最终协议，收购其位于美国亚利桑那州钱德勒的半导体制造园区。这一举措标志着诺基亚在化合物半导体领域的产能扩张进入实质性阶段。
根据规划，诺基亚将在获得监管部门批准后，于2027年初率先租赁该园区部分设施的产能，用于生产光学元件关键材料——磷化铟半导体。这种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体因其高电子迁移率和优异光学性能，已成为人工智能数据中心光互连及5G/6G通信网络的核心基础材料。待2029年第一季度完成整体收购后，该园区将全面纳入诺基亚的制造体系。
在产能建设方面，诺基亚同步推进多线布局。其位于美国圣何塞的新工厂项目进展超出预期，预计将于2026年第四季度末提前启动量产。与此同时，宾夕法尼亚州工厂的升级计划也已敲定：自2026年第三季度起，该厂的先进测试与封装产能将提升至现有水平的十倍。这些投资均是为应对2027-2028年市场爆发式增长需求所做的前瞻性准备。
公司特别强调，此次收购不仅带来现代化的生产设施，更将引入一支具有深厚行业经验的专家团队。这支团队在化合物半导体制造领域积累的技术专长，将与诺基亚现有研发体系形成协同效应。特别是在当前人工智能技术加速迭代的背景下，美国本土新增的磷化铟产能布局，使诺基亚能够更敏捷地响应北美市场对高速光通信器件的旺盛需求。
据技术资料显示，磷化铟半导体在100G以上高速光模块中具有不可替代性，其直接带隙结构使其在发光效率、热稳定性等关键指标上显著优于传统硅基材料。随着AI算力集群对低延迟光互连需求的激增，以及6G通信对太赫兹频段的支持要求，这类特种半导体的战略价值正持续提升。诺基亚通过垂直整合上游材料供应，有望在下一代光通信市场占据技术制高点。