在人工智能技术飞速发展的当下，存储性能已成为制约AI运算效率的关键因素之一。近日，全球知名存储芯片制造商SK海力士宣布，正与AI芯片巨头英伟达联合开发新一代AI存储解决方案，旨在突破现有技术瓶颈，满足大规模AI应用对数据吞吐的严苛需求。
据行业消息透露，双方合作的核心项目代号为"AI-N P"，属于SK海力士"AIN Family"产品线的性能型方案。该技术通过重构NAND闪存与控制器的架构设计，重点解决AI运算过程中数据传输的延迟问题。目前主流企业级SSD的IOPS（每秒读写次数）约为300万次，而SK海力士计划在2026年底推出的首款样品将支持高达2500万IOPS，性能提升达8-10倍。
技术团队透露，第二代产品的研发工作已同步启动，目标是在2027年底将性能指标推升至1亿IOPS，较现有产品实现30倍以上的跨越。这种指数级提升将有效缓解存储系统在处理海量AI数据时的性能瓶颈，确保GPU等计算单元的算力得到充分释放。
为构建完整的AI存储解决方案，SK海力士正在开发包含性能型（AI-N P）、带宽型（AI-N B）和容量型（AI-N D）的三大产品矩阵。其中与英伟达联合进行的概念验证（PoC）项目，重点优化大规模数据吞吐场景下的能效表现。通过针对性算法优化，新方案可显著降低存储系统在处理AI训练数据时的延迟，为端侧AI和数据中心提供更高效的存储支持。
在高带宽存储领域，SK海力士与闪迪的合作取得重要进展。双方共同推进的"AI-N B"标准化工作，旨在开发类似HBM（高带宽内存）架构的HBF（高带宽闪存）技术。该方案通过垂直堆叠NAND闪存单元，可实现数据传输带宽的指数级扩展。据项目负责人介绍，AI-N B的Alpha版本将于2026年1月完成开发，2027年推出正式评估样品，这为AI存储架构创新提供了全新技术路径。
行业分析师指出，随着生成式AI等大模型应用的普及，数据中心对存储性能的需求正以每年超过50%的速度增长。SK海力士此次布局的三大技术方向，分别针对不同应用场景的性能需求，有望重新定义AI时代的存储标准。特别是与英伟达的深度合作，将加速新技术从实验室到商用化的转化进程。