在3D NAND闪存技术领域，SK海力士正推进一项重要布局。据韩媒报道，该公司计划在大连二厂建设采用浮栅（FG）结构的3D NAND产线，目标层数达到200层中段（约250层）。这一决策使其成为全球主要闪存厂商中，唯一坚持FG技术路线的企业。
当前，三星、美光、铠侠等厂商均采用电荷阱（CT）结构生产3D NAND，而SK海力士通过收购英特尔闪存业务，保留了FG NAND生产线。其大连一厂已具备192层FG NAND的量产能力，为技术迭代奠定了基础。去年，该公司已完成200层以上FG NAND的研发，现正将重心转向量产准备。
根据规划，SK海力士将于2026年第三季度在大连二厂建设中试线，相关设备采购已启动。若进展顺利，预计2027年下半年可实现全面量产。这一时间表显示，该公司正加速推进FG技术向更高层数的突破。
技术路线选择背后，是SK海力士对市场需求的精准判断。FG结构在每单元存储比特数更高的QLC NAND闪存中表现更优，而AI推理等应用场景对读取密集型SSD的需求持续增长，恰好与QLC的特性契合。延续FG技术路线也有助于旗下Solidigm保持产品开发的连贯性，巩固其在特定市场的竞争优势。
