（图片来源：SK 海力士)
在 2024 年 SK AI 峰会上，SK 海力士首席执行官上台展示了业界首款 16 Hi HBM3E 内存，击败了三星和美光。随着 HBM4 的强劲发展，SK 海力士准备了 HBM3E 产品的 16 层版本，以确保“技术稳定性”，并计划最早在明年提供样品。
几周前，SK 海力士推出了其 HBM3E 内存的 12-Hi 变体——获得了 AMD （MI325X） 和 Nvidia （Blackwell Ultra） 的合同。SK 海力士在上个季度获得了创纪录的利润，再次全力以赴，因为这家巨头刚刚宣布对其 HBM3E 系列进行 16 层升级，每个堆栈的容量为 48GB（每个芯片 3GB）。这种密度的增加现在使 AI 加速器能够在 8 堆栈配置中配备高达 384GB 的 HBM3E 内存。
SK 海力士声称，训练性能提高了 18%，推理性能提高了 32%。与 12-Hi 内存一样，新的 16-Hi HBM3E 内存采用了 MR-MUF 等封装技术，该技术通过熔化芯片之间的焊料来连接芯片。SK 海力士预计 16-Hi HBM3E 样品将于 2025 年初准备好。然而，这种内存可能是短暂的，因为 Nvidia 的下一代 Rubin 芯片计划于明年晚些时候量产，并且将基于 HBM4。
（图片来源：SK 海力士)
这还不是全部，因为该公司正在积极开发 PCIe 6.0 SSD、针对 AI 服务器的大容量 QLC（四层单元）eSSD 和用于移动设备的 UFS 5.0。此外，为了给未来的笔记本电脑甚至手持设备提供动力，SK海力士正在开发一种LPCAMM2模块，并使用其1cnm节点开发焊接的LPDDR5/6存储器。没有提到用于台式机的 CAMM2 模块，因此 PC 人员需要等待 - 至少在 CAMM2 采用成熟之前。
为了克服 SK 海力士所说的“内存墙”，这家内存制造商正在开发近内存处理 （PNM）、内存处理 （PIM） 和计算存储等解决方案。三星已经演示了其 PIM 版本——其中数据在内存中处理，因此数据不必移动到外部处理器。
HBM4 将通道宽度从 1024 位增加到 2048 位，同时支持超过 16 个垂直堆叠的 DRAM 芯片 （16-Hi） - 每个芯片封装高达 4GB 的内存。这些是一代又一代的巨大升级，应该足以满足即将推出的 AI GPU 的高内存需求。
三星的 HBM4 流片将于今年晚些时候推进。另一方面，有报道称，SK 海力士早在 10 月就已经实现了流片阶段。遵循传统的芯片开发生命周期，预计 Nvidia 和 AMD 将在明年第一季度/第二季度收到认证样品。